高压发光二极管(HV LED)芯片通过对普通蓝宝石衬底外延生长、芯片微晶粒分立阵列及微晶粒间电极桥接等多种技术手段的研究，制备出正装高压发光二极管(HV LED)，其产业化光效已超过110lm/W，HV LED可以直接应用于直流高压驱动的照明市场，相对传统的DC LED，简化了驱动电路的设计，减少了元器件的使用，驱动电路功率损耗更低，器件可靠性更高，结构也将更加小型化，应用成本更是大幅度降低。HV LED或可成为未来LED照明发展的一个重要方向。

　　今年年初，晶元光电表示，在高压蓝光LED方面，当搭配有别于传统的波长转换材料之配方组合时，可验证出色温约2800K的暖白光其效率为170流明/瓦，演色性为88。今日达成上述成果，不仅超越预定目标，亦持续领先同业。

　　今年上半年，迪源光电在深圳召开HV高压LED芯片技术交流会，成为国内率先实现HV高压蓝光芯片量产的厂家。

　　今天大多数LED芯片供应商面临一个出局的危险，因为他们今天生产的低压LED芯片将越来越难以卖进LED通用照明市场。为什么呢?因为高压LED出现了，高压LED相比低压 LED有二大明显竞争优势：

　　第一，在同样输出功率下，高压LED所需的驱动电流大大低于低压LED。如以晶元光电的高压蓝光1W LED为例，它的正向压降高达50V，也即它只需20mA驱动电流就可以输出1W功率，而普通正向压降为3V的1W LED，需要350mA驱动电流才能输出1W功率，因此同样输出功率的高压LED在工作时耗散的功率要远低于低压LED，这意味着散热铝外壳的成本可大大降低。

　　第二，高压LED可以大幅降低AC-DC转换效率损失。以10W输出功率为例，如果采用正向压降为50V的1W高压LED，输出端可以采取2并4串的配置，4个串联LED的正向压降为 200V，也就是说只需从市电220V 交流电(AC)利用桥式整流及降20V就可以了。但如果我们采用正向压降为3V的1W低压LED，即便10个串在一起正向压降也不过30V，也就是说需要从220V AC市电降压到30VDC。我们知道，输入和输出压差越低，AC到DC的转换效率就越高，可见如采用高压LED，变压器的效率就可以得到大大提高，从而可大幅降低AC-DC转换时的功率损失，这一热耗减少又可进一步降低散热外壳的成本。

　　因此，如采用高压LED来开发LED通用照明灯具产品，总体功耗可以大大降低，从而大幅降低对散热外壳的设计要求，如我们可用更薄更轻的铝外壳就可满足LED灯具的散热需求，由于散热铝外壳的成本是LED照明灯具的主要成本组成部分之一，铝外壳成本有效降低也意味着整体LED照明灯具成本的有效降低。

　　由此可见，高压LED可以带来LED照明灯具成本和重量的有效降低，但其更重要的意义是大幅降低了对散热系统的设计要求，从而有力扫清了LED照明灯具进入室内照明市场的最大技术障碍。因此，高压LED将主导未来的LED通用照明灯具市场。